Zakład Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych ITE mieści się w Warszawie, przy Al. Lotników 32/46, w budynku IV. Zakład może się poszczycić bogatym doświadczeniem w dziedzinie technologii wytwarzania przyrządów ze związków półprzewodnikowych III-V dla optoelektroniki i elektroniki wysokiej częstotliwości. Prowadzimy prace obejmujące zarówno wytwarzanie gotowych struktur przyrządowych (RCLED, HEMT HBV), jak i doskonalenie kluczowych procesów technologicznych. Wśród nich szczególną pozycję zajmują wykonanie kontaktów omowych do GaN typu p oraz osadzanie przezroczystych tlenków przewodzących, szczególnie warstw ZnO typu p. Zakład wchodzi w skład Centrum Doskonałości CEPHONA (Fizyka i Technologia Struktur Fotonicznych) w ITE oraz Centrum Doskonałości CELDIS (Fizyka i Wykonanie Struktur Niskowymiarowych dla technologii przyszłych pokoleń) w Instytucie Fizyki PAN.