Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych













O NAS
pomiary Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych wchodzi w skład Instytutu Technologii Elektronowej (ITE).

Instytut jest wiodącym ośrodkiem badawczo-rozwojowym w Polsce. Jego działalność koncentruje się głównie w zakresie fizyki, elektroniki i technologii półprzewodników. Misją ITE jest prowadzenie badań podstawowych i stosowanych, zmierzających do opracowania i komercjalizacji innowacyjnych mikro- i nanotechnologii oraz ich produktów w dziedzinie mikroelektroniki, optoelektroniki, fotoniki i mikrosystemów.

Badania prowadzone przez Zakład dotyczą rozwoju nowych metod charakteryzacji nanostruktur półprzewodnikowych wykorzystujących układ typu MOS lub inne struktury. Wykonujemy zaawansowane pomiary struktur półprzewodnikowych wytworzonych przez zespoły badawcze w wiodących ośrodkach naukowych na świecie (m.in. w USA, Japonii, Niemczech, Francji, Wielkiej Brytanii i Szwecji). Dla stosowanych przez nas oryginalnych metod charakteryzacji nanostruktur opracowujemy podstawy teoretyczne (modele fizyczne).

W Zakładzie rozwijamy i stosujemy trzy grupy metod pomiarowych: elektryczne, fotoelektryczne i optyczne.

Metody elektryczne są przede wszystkim wykorzystywane do określania charakterystyk C(V), I(V) i G(V) z najwyższą czułością i rozdzielczością. Również wykonujemy pomiary wysokoczęstotliwościowe i stosujemy metodę spektroskopii admitancyjnej do określania parametrów schematów zastępczych nanostruktur.

Metody fotoelektryczne głównie stosujemy do określania parametrów energetycznego modelu pasmowego badanych struktur. W ten sposób wyznaczamy poziomy energetyczne pasm, kontaktową różnicę potencjałów, napięcie wyprostowanych pasm i parametry stanów pułapkowych, a także rozkłady lokalnych wartości parametrów elektrycznych w charakterystycznych obszarach nanostruktur.

Do badań optycznych w naszym Zakładzie wykorzystujemy metody elipsometrii spektroskopowej, interferometrii, reflektometrii i spektroskopii ramanowskiej. Metody te, między innymi, umożliwiają określenie grubości i spektralnych charakterystyk parametrów optycznych rozmaitych struktur warstwowych, rozkładu naprężeń mechanicznych i składu chemicznego różnych obiektów.

Nasz Zakład zatrudnia stale wysokokwalifikowanych pracowników badawczych, w tym jednego doktora habilitowanego, dwóch doktorów, dwóch doktorantów oraz grupę inżynierów i techników.