STRONA ARCHIWALNA
Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
Zakład Grafenu i Materiałów dla Elektroniki







O NAS
dlts W Zakładzie Analizy Nanostruktur Półprzewodnikowych prowadzone są badania nad obróbką technologiczną krzemu w wysokich temperaturach w warunkach jednorodnych naprężeń generowanych przez podwyższone ciśnienie hydrostatyczne argonu oraz nad właściwościami elektrycznymi struktur z kropkami kwantowymi.

Do badań wysokociśnieniowych krzemu wykorzystujemy unikalną w skali światowej aparaturę umożliwiającą wygrzewanie próbek półprzewodnikowych w temperaturze do 1400K pod ciśnieniem hydrostatycznym Ar(He) do ok. 1,2 GPa przez czas do 10 godz. (objętość użyteczna komory wysokociśnieniowej wynosi ok. 3 cm3). Badania prowadzimy we współpracy z licznymi zespołami zagranicznymi i krajowymi (aktualnie ok. 30). Opracowane przez nas metody umożliwia m. in. zbadanie wpływu naprężeń na przemiany strukturalne w strukturach implantowanych, wykonanie specyficznych nanostruktur, czy wreszcie domieszkowanych metalami przejściowymi struktur typu Si:Mn o specyficznych cechach spintronicznych.

Właściwości elektryczne struktur z kropkami kwantowymi określamy metodami spektroskopii głębokich poziomów - DLTS (System DLS-83D, SEMILAB, Węgry), pomiarów charakterystyk C(I)-V oraz spektroskopii admitancyjnej (Keithley 237 - źródło napięcia, Keithley 617 - elektrometr, QuadTech 7600 - miernik LCR, możliwość pomiarów z użyciem sondy rtęciowej).

Posiadane układy umożliwiają badania w szerokim zakresie temperaturowym (20 -750 K) i pełną charakteryzację od płytkich, kwantowych stanów energetycznych po głębokie poziomy do 1eV w strukturach i przyrządach półprzewodnikowych. Układ do pomiarów techniką DLTS stwarza możliwości badań w opcji przemiatania zarówno częstotliwości repetycji impulsów elektrycznych, jak i temperatury oraz w opcji stałej pojemności. Poza parametrami pułapek, takimi jaki energia aktywacji i przekroje czynne na wychwyt nośników, technika w modzie podwójnie skorelowanej techniki DLTS dostarcza informacji ilościowej o przestrzennych rozkładach defektów i zależności ich właściwości emisyjnych od pola elektrycznego.

Na bazie DLTS i pomiarów C-V opracowaliśmy nowe metody charakteryzacji skwantowanych stanów energetycznych i stanów defektów w strukturach niskowymiarowych. Nasz, oryginalny wkład do tej dziedziny stwarza nową jakość rozumienia zjawisk i ich interpretacji. Nasz wkład w rozwój metod charakteryzacji struktur z kropkami kwantowymi polega na adaptacji standardowych i wprowadzeniu nowych metod pomiarowych opartych na spektroskopii warstwy ładunku przestrzennego. Mimo licznych doniesień literaturowych, głównie w oparciu o rezultaty badań optycznych, szereg zasadniczych właściwości kropek kwantowych nie jest wyjaśniona. Dlatego koncentrujemy się jednocześnie nad dogłębnym zrozumieniem zjawisk i właściwości obiektów niskowymiarowych na podstawie informacji z badań elektrycznych, które nie są dostępne innymi metodami. Doświadczenie ostatnich kilku lat, we współpracy z Chalmers University of Technology w Göteborgu, umożliwiło charakteryzację struktur kropek kwantowych z InAs/GaAs technikami elektrycznymi.