STRONA ARCHIWALNA
Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Detektory promieniowania jonizującego
Krzemowe detektory PIN, detektory paskowe, matryce detektorowe o strukturze p-i-n:
  • Epiplanarne detektory o grubości obszaru aktywnego do 120µm (wyjątkowo do 150µm). Napięcie pełnego opróżnienia obszaru aktywnego poniżej 12 V. Grubość całkowita detektora 0,3 - 0,5 mm (na spodzie detektora jest nieaktywna, wysoko domieszkowana warstwa).
  • Całkowicie zubożone planarne detektory o grubości obszaru aktywnego od 300um do 700µm.
Instytut prowadzi prace badawcze nt. pikselowych detektorów wykonywanych w technologii SOI (elektronika odczytowa w górnej warstwie SOI, złącze czułe na radiację w dolnej). Chętnych zapraszamy do współpracy.

Więcej informacji: Maciej Węgrzecki, Jacek Marczewski

Oferuje: Oddział Piaseczno - Zakład Technologii Mikrosystemów
Marzec 2025
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31
Imieniny: Maria, Wieńczysław, Ireneusz

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO