 |
| |
|
|
Wytwarzanie heterostruktur AIII-BV | | Oferujemy usługi w zakresie projektowania i wytwarzania heterostruktur półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych na podłożach GaAs, GaSb oraz InP
Zapewniamy współpracę przy modelowaniu, optymalizacji projektowanych przyrządów optolektronicznych.
Reaktory MBE 32p i Compact 21T firmy Riber pozwalają na wzrost heterostruktur półprzewodników z grupy AIII-BV odpowiednio na bazie arsenków i antymonków (MBE 32P) oraz arsenków i fosforków (Compact 21T).
Standardowo osadzanie epitaksjalne odbywa się na podłożach 2-calowych.
Do kontroli jakości wykonania heterostruktur (grubość warstw, skład chemiczny, własności optyczne itp.) stosowane są następujące metody nieniszczące:
- spektroskopia optyczna (fotoluminescencja, fotoodbicie, techniki modulacyjne);
- spektroskopia rentgenowska
Na życzenie klienta do kontroli wybranych próbki mogą być użyte metody niszczące:
- spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS);
- mikroskopia elektronowa.
WYNIK: Płytki z zamówionymi heterostrukturami. Możliwe jest także wykonanie gotowego przyrządu o zadanej topografii.
KONTAKT: Jan Muszalski muszal@ite.waw.pl
Oferuje: Zakład Fotoniki |
|
|
|
| Kwiecień 2024 |
| Pon |
Wto |
Śro |
Czw |
Pią |
Sob |
Nie |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | | 29 | 30 |
|
|
Imieniny: Marek, Jarosław, Wasyl
|
|
|
ZAKŁADY NAUKOWE
|
|
|
|
