STRONA ARCHIWALNA
Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Wytwarzanie heterostruktur AIII-BV
Oferujemy usługi w zakresie projektowania i wytwarzania heterostruktur półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych na podłożach GaAs, GaSb oraz InP

Zapewniamy współpracę przy modelowaniu, optymalizacji projektowanych przyrządów optolektronicznych. Reaktory MBE 32p i Compact 21T firmy Riber pozwalają na wzrost heterostruktur półprzewodników z grupy AIII-BV odpowiednio na bazie arsenków i antymonków (MBE 32P) oraz arsenków i fosforków (Compact 21T).

Standardowo osadzanie epitaksjalne odbywa się na podłożach 2-calowych.

Do kontroli jakości wykonania heterostruktur (grubość warstw, skład chemiczny, własności optyczne itp.) stosowane są następujące metody nieniszczące:
  • spektroskopia optyczna (fotoluminescencja, fotoodbicie, techniki modulacyjne);

  • spektroskopia rentgenowska


Na życzenie klienta do kontroli wybranych próbki mogą być użyte metody niszczące:
  • spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS);

  • mikroskopia elektronowa.


WYNIK: Płytki z zamówionymi heterostrukturami. Możliwe jest także wykonanie gotowego przyrządu o zadanej topografii.

KONTAKT: Jan Muszalski muszal@ite.waw.pl

Oferuje: Zakład Fotoniki
Grudzień 2020
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031
Imieniny: Franciszek, Hilary, Ksawery

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO