Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Oferta zaawansowanych usług badawczych
Kompleksowe badanie elektryczne próbek
Mapowanie własności pułapek
Zjawiska transferu ładunku są jednym z głównych czynników wpływających na parametry elektryczne i niezawodność przyrządów elektronicznych. Mierzymy i analizujemy rozkłady energetyczne gęstości i przekroju czynnego pułapek ładunku w nanoprzyrządach stosując metodę wieloparametrycznej spektroskopii admitancyjnej (MPAS). Technika MPAS polega na analizie graficznej dyspersji konduktancji mierzonego nanoprzyrządu (Gm/ω), bezpośrednio związanej z gęstością pułapek, jako funkcji potencjału powierzchniowego φS (wywołanego przyłożonym napięciem polaryzacji VG) oraz odwrotności częstości kątowej przyłożonego sygnał napięciowego ω-1. Przy pomocy metody MPAS można szybko ocenić przekrój czynny pułapek σn posługując się skalą nałożoną na mapę dyspersji konduktancji, jak to pokazano na powyższym rysunku.

Pomiary charakterystyk elektrycznych
Laboratorium wykonuje również standardowe i specjalizowane pomiary charakterystyk I-V, C-V oraz G-V przyrządów półprzewodnikowych z czułością i rozdzielczością na poziomie 0.1 fA / 0.5 μV, przy użyciu analizatora Agilent B1500A połączonego z proberem ostrzowym Cascade Summit 12k. Charakterystyki te pozwalają na określenie następujących parametrów struktur półprzewodnikowych w zakresie temperatur T=(-60–200)°C i przy częstości sygnału f=40Hz–5MHz: poziom/profil domieszkowania podłoża NB, napięcie wyprostowanych pasm VFB oraz napięcie progowe VT, rozkłady energetyczne gęstości pułapek powierzchniowych Dit i pułapek brzegowych Nb, oraz rozkłady innych parametrów pułapek (stała czasowa τ i przekrój czynny σ).

Identyfikacja elektrycznego schematu zastępczego
W badaniach nanoprzyrządów półprzewodnikowych często występuje konieczność ustalenia elektrycznego schematu zastępczego przyrządu. Stosujemy do tego celu metodę numerycznego dopasowania parametrów modelu - elementów wybranego schematu zastępczego - do spektrów impedancji przyrządu, zmierzonych przy użyciu analizatora impedancji Agilent 4294A.

Dla pomiarów elektrycznych konieczne jest uzgodnienie parametrów badanych próbek.

Kontakt:
dr T. Gutt, tgutt@ite.waw.pl

Oferuje: Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych
Wrzesien 2019
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
30
Imieniny: Edyta, Kamil, Korneliusz

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO