Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Oferta zaawansowanych usług badawczych
Kompleksowa analiza optyczna i fotoelektryczna próbek
Metodologia pomiarów fotoelektrycznych
Metody fotoelektryczne stosuje się w celu określania barier potencjału na powierzchniach granicznych pomiędzy różnymi materiałami i określania innych podstawowych właściwości elektrycznych struktur nanoelektronicznych. Pozwala to ocenić położenie poziomów energetycznych i wartości potencjałów charakterystycznych, umożliwiając określenie pełnego schematu pasmowego badanej struktury. W badaniach tego typu stosuje się zarówno standardowe metody fotoelektryczne, a także pakiet metod opracowanych w ITE, które pozwalają m.in. na bardzo dokładne określenie wartości efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów w systemach MIS. Metody te są także wykorzystywane do mapowania rozkładów parametrów w pewnych obszarach, np. do oceny rozkładu wysokości bariery potencjału na powierzchni bramki.

Elipsometria
Właściwości optyczne różnych materiałów (najczęściej półprzewodników I dielektryków) i struktur nanoelektronicznych określamy metodami elipsometrii spektroskopowej w zakresie próżniowego UV. Określamy charakterystyki spektralne zespolonego współczynnika załamania N(λ) i zespolonej funkcji dielektrycznej ε(λ), gdzie N=n+ik, a ε=ε1+iε2. Określamy także grubości warstw tworzących nanostrukturę. W tym celu stosujemy dwa elipsometry spektroskopowe:
- Próżniowy elipsometr spektroskopowy z modulacją fazy (UVISEL VUV) firmy Horiba Jobin Yvon S.A.S., pracujący w zakresie długości fali światła λ=(142-880) nm, przy stałym kącie padania światła α=70°
- Elipsometr spektroskopowy VASE firmy J.A. Woollam Co. Inc., o zmiennym kącie padania światła α=(15-85)° pracujący w zakresie długości fal światła λ=(250-1700) nm

Kontakt:
H.M. Przewłocki, hmp@ite.waw.pl
K. Piskorski, kpisk@ite.waw.pl

Oferuje: Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych
Wrzesien 2019
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
30
Imieniny: Edyta, Kamil, Korneliusz

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO