Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:
OSIĄGNIĘCIA ITE
Seria licznych książek o teorii transportu ciepła i nośników elektrycznych w strukturach molekularnych i biologicznych po ultra-krótkich sygnałach laserowych, opublikowane przez znane wydawnictwa światowe
zobacz opis
Precyzyjne ostrza AFM i SThM wytwarzane techniką FIB
zobacz opis
Opatentowana sekwencja wytwarzania ulepszonych kontaktów omowych do SiC
zobacz opis
Wykorzystanie FIB do wytwarzania laserów kaskadowych o emisji jednomodowej
zobacz opis
Opracowane i opatentowane liczne metody charakteryzacji w celu diagnostyki i optymalizacji wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych
zobacz opis
Metoda poprawienia obrazu w skaningowych mikroskopach elektronowych i jonowych
zobacz opis
Pompowane optycznie przełączalne lasery dyskowe
zobacz opis
Sieć czujnikowa do monitorowania rozkładu temperatury i wilgotności w budynkach, zbudowana w oparciu o rozwiązania BMS Osiągnięcie dotyczy sieci czujnikowej zapewniającej wielopunktowy, rozproszony pomiar temperatury i wilgotności w budynku
zobacz opis
Kompletny wielokanałowy system odczytowy dedykowany do współpracy z tranzystorowymi detektorami promieniowania THz Osiągnięcie dotyczy opracowania i uruchomienia kompletnego wielokanałowego systemu elektronicznego obsługującego tranzystorowe
zobacz opis
Sensor gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego
zobacz opis
Przezroczyste tranzystory MESFET
zobacz opis
Lasery kaskadowe z AlGaAs/GaAs na pasmo średniej podczerwieni (~ 9 μm)
zobacz opis
Neurostymulatory
zobacz opis
Detektory podczerwieni z InGaAs/InAlAs/GaAs zintegrowane z mikrooptyką refrakcyjną
zobacz opis
Mikromechaniczne, krzemowe przetworniki elektrostatyczne do badań w mikro- i nanoskali
zobacz opis
Biokompatybilne mikroelektrody do implantów medycznych
zobacz opis
Nowatorskie detektory dla potrzeb fizyki wysokich energii
zobacz opis
Opracowanie i uruchomienie produkcji doświadczalnej rodziny krzemowych detektorów chromatograficznych dla eksperymentów w dziedzinie chemii radiacyjnej
zobacz opis
Lasery półprzewodnikowe dużej mocy (>1W) z InGaAs/GaAs/AlGaAs na pasmo λ = 940-1020 nm, pracujące na fali ciągłej (cw) w temperaturze pokojowej (300K)
zobacz opis
Listopad 2017
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930
Imieniny: Cecylia, Jonatan, Stefan

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO