Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
Lista aktualnie realizowanych projektów krajowych
nr projektu tytuł kierownik projektu
 UMO-2015/17/B/ST8/03396Badania wpływu napełniaczy mineralnych na strukturę i właściwości piezoelektryczne elektretów z poliolefin krystalicznych
Dr inż. Ewa KLIMIEC
 UMO-2015/17/D/ST7/04141Badanie efektu warystorowego wielowarstwowych elementów LTCC opartych na nowych materiałach perowskitowych
Dr hab. Agata SKWAREK
 DEC-2017/01/X/ST5/00547Badanie właściwości magnetycznych kompozytorów multifferoicznych SrCu0.33Ta0.6703-Co1-xMnxFe204(SCTO-CMFO)
Dr inż. Piotr ZACHARIASZ
 DOB-BIO8/01/01/2016Hybrydowe łącze otwartej przestrzeni.
Dr inż. Kamil PIERŚCIŃSKI
 DOB1-6/1/PS/2014Laserowe systemy broni skierowanej, laserowe systemy broni nieśmiercionośnej.
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 UMO-2015/17/B/ST7/04015Mechanizmy degradacji kwantowych laserów kaskadowych: analiza, identyfikacja oraz zrozumienie ich podstaw fizycznych
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 UMO-2016/21/B/ST7/02247Modelowanie zjawisk termicznych w nanosystemach elektronicznych.
Dr inż. Paweł JANUS
 UMO-2014/15/B/ST7/05258Monolityczne lasery o emisji powierzchniowej na bazie GaN i GaAs
Dr inż. Anna WÓJCIK-JEDLIŃSKA
 UMO-2017/25/B/ST7/00437Nowa konstrukcja półprzewodnikowego lasera dyskowego dla emisji w średniej podczerwieni
Dr hab. Jan MUSZALSKI
 UMO-2015/19/N/ST7/01203Polaryzacja promieniowania emitowanego przez kwantowe lasery kaskadowe
Dr inż. Emilia PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK
 UMO-2015/19/D/ST7/02736Zastosowanie implantacji jonów w celu domieszkowania oraz wytworzenia obszarów o wysokiej rezystywności na potrzeby tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Dr Karolina PĄGOWSKA

Lista zrealizowanych projektów krajowych
nr projektu tytuł kierownik projektu
 PBS3/B3/30/2015Aktywny sub-THz skaner 3D do zastosowań antyterrorystycznych
Dr hab. inż. Jacek MARCZEWSKI
 8 T11B 060 16Analiza i pomiar emisji elektromagnetycznej z układów scalonych
Prof. dr hab. inż. Jerzy KOŁODZIEJSKI
 8 T11B 062 12Analiza mechanizmu konkurencji między modami przestrzennymi w półprzewodnikowym laserze szerokokontaktowym
Dr inż. Michał SZYMAŃSKI
 3 T11B 008 29Analiza procesów termicznych na powierzchni zwierciadeł laserów półprzewodnikowych
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 5249/B/T02/2010/38Analiza przestrzennego rozkładu natężenia pola w wiązce emitowanej przez kwantowe lasery kaskadowe
Dr hab. Kazimierz REGIŃSKI
 N N515 503940Analiza występowania wiskerów i zarazy cynowej wpływających na jakość lutów bezołowiowych o wysokiej zawartości cyny
Dr hab. Agata SKWAREK
 4 T11B 037 23Analiza wzmacniacza w obszarze czynnym lasera półprzewodnikowego z pojedynczą lub wielokrotną studnią kwantową
Dr inż. Michał SZYMAŃSKI
 8 T11B 045 12Badania heterostruktur niedopasowanych ze związków półprzewodnikowych III-V
Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ
 7 T11B 051 20Badania kinetyki nanoszenia oraz własności mechanicznych i trybologicznych super sieci ceramicznych pod kątem zastosowania ich w mikroinżynierii krzemowej
Mgr inż. Hanna WRZESIŃSKA
 8 S501 025 07Badania krzemowych fotodiod lawinowych pracujących w trybie liczenia pojedynczych fotonów
Mgr inż. Iwona WĘGRZECKA
 7 S201 023 06Badania mechanizmów tworzenia kontaktów omowych do wysokooporowego CdTe
Dr hab. inż. Eliana KAMIŃSKA
 8 T11B 037 13Badania nad krzemowymi fotodiodami lawinowymi do zastosowania w scyntylacyjnych detektorach promieniowania jądrowego
Mgr inż. Iwona WĘGRZECKA
 N515 44 26 33Badania nad rozwojem nadprzewodnikowych detektorów NbN w celu opracowania nowej rodziny detektorów kwantowych do zastosowań w komunikacji kwantowej, informatyce kwantowej, radioastronomii i medycynie.
Dr inż. Wojciech SŁYSZ
 8 S501 037 04Badania nad strukturą przestrzenną modów generowanych w półprzewodnikowych laserach szeroko-kontaktowych z modulowaną dobrocią rezonatora
Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ
 3 T11B 028 30Badania nad technologią wytwarzania krawędziowych laserów półprzewodnikowych na pasmo 980 nm i wpływem defektów w strukturach epitaksjalnych na uzysk i końcowe parametry przyrządów
Dr hab. Kazimierz REGIŃSKI
 UMO-2011/03/D/ST7/03146Badania nad układami metal-półprzewodnik oraz ich zastosowaniem w inżynierii falowodów plazmowych dla laserów kaskadowych emitujących promieniowanie z terahercowego zakresu częstotliwości.
Dr hab. inż. Anna SZERLING
 8 T11B 018 18Badania naprężeń mechanicznych w strukturach MOS metodą elipsometrii spektroskopowej
Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ
 8 8026 92 03Badania oddziaływań fizykochemicznych w omowych kontaktach metal/półprzewodnik III-V
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 8 T11B 043 13Badania procesu wytwarzania złożonych, trójwymiarowych struktur mikro-mechanicznych, na przykładzie zintegrowanej struktury mikrosondy do mikroskopii sił atomowych i lateralnych AFM/LFM
Dr inż. Piotr GRABIEC
 3 T11B 087 28Badania przestrzennych rozkładów naprężeń w strukturach MOS metodami optycznymi: za pomocą interferometrii optycznej i optycznej spektroskopii ramanowskiej
Dr inż. Lech BOROWICZ
 0038/JP2/2015/73Badania wpływu agregacji barwników i kropek kwantowych na wydajność ogniw fotoelektrochemicznych opartych na nanokoralowym ZnO
Dr hab. Michał BORYSIEWICZ
 8 T11B 001 14Badania zagadnień technologii i konstrukcji elektrostatycznego mikrosilnika krzemowego
Dr inż. Piotr DUMANIA
 8 T11B 008 17Badanie adsorpcyjnych właściwości porowatego krzemu z zastosowaniem piezorezystywnych dźwigni pomiarowych
Dr inż. Krzysztof DOMAŃSKI
 8 0118 91 01Badanie kontaktowej różnicy potencjałów i parametrów ładunkowych struktur MOS
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 8 T11B 009 11Badanie laserów półprzewodnikowych metodami mikroskopii elektronowej
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 3 T11B 031 28Badanie mechanizmów degradacji zwierciadeł w laserach półprzewodnikowych dużej mocy metodą przestrzennie rozdzielczej spektroskopii termoodbiciowej
Dr Tomasz OCHALSKI
 8 8027 92 03Badanie mechanizmów generacji / relaksacji niejednorodnych naprężeń wewnętrznych w monokryształach Cz-Si z wytrąceniami SiOx
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 N515 06 28 33Badanie metodami mikroskopii elektronowej zmian zachodzących w strukturach metal - półprzewodnik w wyniku procesów termicznych.
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 UMO-2015/17/N/ST7/03936Badanie nad technologią wzrostu struktur laserów kaskadowych InGaAs/AlGaAs/GaAs
Dr inż. Piotr GUTOWSKI
 3 T11B 030 26Badanie piezozjawisk w krzemowych tranzystorach CMOS i ich wykorzystanie w opracowaniu sub-nanoczułych mikromechanicznych sond pomiarowych
Dr inż. Piotr DUMANIA
 4 T11B 008 25Badanie procesów degradacyjnych w grubowarstwowych hybrydowych układach elektroniki wielkiej mocy
Dr inż. Michał CIEŻ
 UMO-2013/11/B/ST7/04341Badanie procesów relaksacji naprężeń w warstwach GaSb otrzymanych na podłożach GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Dr hab. inż. Agata JASIK
 UMO-2011/03/DST7/03093Badanie procesów termicznych w diodach laserowych na azotku galu przy wykorzystaniu spektroskopii termoodbiciowej
Dr inż. Dorota PIERŚCIŃSKA
 3 P408 004 05Badanie propagacji nanosekundowych impulsów cieplnych w strukturach mezoskopowych
Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA
 7 T11B 084 20Badanie prądu upływności naroży złączy p-n
Prof. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI
 3 T11B 072 29Badanie rozkładów przestrzennych lokalnych wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych bramka-dielektryk i półprzewodnik-dielektryk w strukturach MOS
Dr inż. Krzysztof PISKORSKI
 4 T11B 022 22Badanie sprężystych i niesprężystych odkształceń układu Si-SiO2 oraz ich wpływu na elektryczne i optyczne parametry struktur MOS
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 UMO-2014/15/N/ST7/04742Badanie warunków i konwersji częstotliwości w dwubarwnych przełączalnych laserach półprzewodnikowych z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej
Dr inż. Artur BRODA
 8 T11B 061 16Badanie wpływu naprężeń mechanicznych w strukturze MOS na jej parametry elektryczne
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 8 T11B 040 15Badanie wpływu naprężeń na właściwości przypowierzchniowej warstwy krzemu stosowanego w technologii przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych
Dr hab. inż. Wojciech JUNG
 8 T11B 048 09Badanie wpływu naprężeń na zarodkowanie defektów tlenowych w monokrystalicznym krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 0625/JP2/2011/71Badanie wpływu reakcji metal-półprzewodnik na kontakty do węglika krzemu w celu opracowania metody uzyskiwania kontaktów omowych o niskiej rezystywności i jednorodnej mikrostrukturze.
Dr inż. Marek WZOREK
 N515 003 31/0302Badanie właściwości optycznych nanostruktur fotonicznych metodą mikrofotoluminescencji
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 T11B 082 10Badanie właściwości termodynamicznych arsenku galu
Prof. dr hab. Adam BARCZ
 8 T11B 081 10Badanie zjawisk ekskluzji i akumulacji w strukturach półprzewodnikowych ze złączem I-h w aspekcie generacji, modulacji i detekcji promieniowania
Prof. dr hab. inż. Jerzy PUŁTORAK
 P_UO/BP/3/2009Bezprzewodowa sieć monitorowania wód powierzchniowych oraz alarmowanie o stanie zagrożenia skażeniami chemicznymi.
Dr inż. Michał CIEŻ
 N515 088 433Charakterystyka multikrystalicznego krzemu modyfikowanego procesami geterowania i pasywacji na potrzeby wytwarzania ogniw fotowoltaicznych.
Dr hab. inż. Tadeusz PIOTROWSKI
 N507 46 34 33Charakterystyka właściwości piezoelektrycznych elektroaktywnych polimerów EAP w aspekcie projektowania systemów inteligentnych.
Dr inż. Ewa KLIMIEC
 4368/B/T02/2008/34Charakteryzacja materiałów i struktur na bazie SiC - SIMS, DLTS, I(C)-V
Prof. dr hab. Adam BARCZ
 N515 361736Charakteryzacja struktur kropek kwantowych metodami elektrycznymi
Dr hab. Maria KANIEWSKA
 3 T11B 007 29Defekty indukowane wzrostem kropek kwantowych wytwarzanych techniką MBE
Dr hab. Maria KANIEWSKA
 7 T11B 029 21Detektory podczerwieni z In(GaAl)As zintegrowane z mikrooptyką refrakcyjną
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 4 T11B 015 25Detektory podczerwieni z optyczną wnęką rezonansową na pasmo 1,55 mikrometra
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 8 T11B 002 12Dynamika i transport ciepła w nanostrukturach
Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA
 3 T11B 041 30Dynamika procesów optyczno-termicznych w laserach półprzewodnikowych
Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ
 0646/B/T02/2008/35Eksperymentalne i teoretyczne badania właściwości fizycznych izolatorów o wysokiej przenikalności elektrycznej w strukturach MOS
Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ
 N507 43 22 33Elektrodowe warstwy ceramiczne o strukturze perowskitu do czujników gazów i tlenkowych ogniw paliwowych.
Dr hab. inż. Dorota SZWAGIERCZAK
 8 T11B 064 19Elektronomikroskopowe badania defektów struktury krystalicznej i geometrii obszarów aktywnych typu VCSEL
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 8 T11B 064 14Elektronomikroskopowe badania elementów aktywnych przyrządów opartych na heterostrukturach ze związków półprzewodnikowych AIIIBV otrzymywanych metodą MBE
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 8 T11B 064 11Elektronomikroskopowe badania heterostruktur związków półprzewodnikowych AIIIBV z In otrzymywanych metodą MBE dla kwantowych przyrządów transportowych i optoelektronicznych najnowszej generacji
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 PBZ-MIN-009/T11/2003Elementy i moduły optoelektroniczne do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej (Zad. 4.2, Zad. 6.3)
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 Lider/26/196/L-3/11/NCBR/Eliminacje zakłóceń skanowania w aparaturze technologiczno-badawczej wykorzystującej wiązkę elektronową lub jonową.
Dr inż. Mariusz PŁUSKA
 PBS1/B3/2/2012Emitery i detektory podczerwieni nowej generacji do zastosowań w urządzeniach do detekcji śladowych ilości zanieczyszczeń gazowych (EDEN)
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 T11B 037 11Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE) struktur z InGaAs niedopasowanych sieciowo do podłoża i ich zastosowanie w detektorach podczerwieni
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 4 T11B 007 25Fotoelektryczne badania podstawowych parametrów fizycznych struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji optycznej
Dr inż. Andrzej KUDŁA
 8 T11B 024 09Fotoelektryczne metody wyznaczania barier potencjału w strukturach MOS
Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI
 4 T11B 066 22Heterozłączowy czujnik pola magnetycznego z In0,53Ga0,47As na podłożu InP wytworzony metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Dr Tomasz PRZESŁAWSKI
 8 T11B 048 17Heterozłączowy detektor podczerwieni z InGaAlAs na podłożu z GaAs wytwarzany metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 8 T11B 031 16Identyfikacja współczynników piezorezystywności w krzemowych strukturach mikromechanicznych
Doc. dr hab. inż. Zenon GNIAZDOWSKI
 0523/R/2/T02/07/02Innowacyjny system programowanego doświetlania roślin ogrodniczych diodami elektroluminescencyjnymi zasilanymi z automatycznej instalacji fotowoltaicznej.
Prof. dr hab. inż. Stanisław NOWAK
 8 0121 91 01Inżynieria defektów w półprzewodnikach A III BIV
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 3 T11B 042 30Inżynieria międzypowierzchni SiC/metal i SiC/izolator: procesy wytwarzania, charakteryzacja i zastosowanie w technologii tranzystora MOSFET
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 Lider/34/70/L-3/11/NCBR/2Jednomodowe lasery kaskadowe do zastosowań w spektroskopii molekularnej
Dr hab. inż. Anna SZERLING
 7 T08A 060 21Kinetyka transportu tlenu w układzie SiO2 - krzem FZ
Prof. dr hab. Adam BARCZ
 0 T00A 018 29Krzemowe źródło promieniowania podczerwonego jako element generatora obrazów
Prof. dr hab. inż. Jerzy PUŁTORAK
 8 T11B 008 14Kształtowanie rozkładów naprężeń w membranach krzemowych przyrządów mikromechanicznych
Mgr inż. Paweł KOWALSKI
 3 T11B 063 30Kwantowe lasery kaskadowe z (In)(Al)(Ga)As: projektowanie i technologia epitaksji MBE heterostruktur modułów obszarów aktywnych
Dr hab. Kamil KOSIEL
 8 T11B 011 09Kwantowe struktury półprzewodnikowe dla celów optoelektroniki wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 T11B 039 10Laser półprzewodnikowy z poziomą wnęką optyczną emitujący powierzchniowo
Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ
 7 T11B 021 21Lasery dużej mocy i linijki laserowe z InGaAlAs/GaAs na pasmo 780-810nm
Dr inż. Mariusz ZBROSZCZYK
 8 T11B 027 11Lasery półprzewodnikowe z kwantowym obszarem czynnym (QWL) i rozseparowanym ograniczeniem optycznym i elektrycznym wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE)
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 T11B 049 12Lokalizacja defektów w złączach p-n materiałów typowych oraz nowej generacji metodą pomiarów elektrycznych i badań strukturalnych
Prof. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI
 4 T08D 039 22Materiały dielektryczne o niskiej temperaturze spiekania oparte na relaksorze Pb(Fe2/3W1/3)O3 przeznaczone do grubowarstwowych kondensatorów
Dr hab. inż. Dorota SZWAGIERCZAK
 8 T11B 022 11Małosygnałowy model pojemności tranzystora MOS SOI
Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI
 3 T11B 036 30Metody oceny odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne
Prof. dr hab. inż. Jerzy KOŁODZIEJSKI
 N515 07 91 37Mikroprzepływowy układ do testów immunoenzymatycznych ELISA, opartych na detekcji amperometrycznej, do oznaczania fibrynogenu
Mgr inż. Anna BARANIECKA
 NR02-0010-10/2010Mikroprzyrządy pomiarowe zintegrowane z aktuatorami dla zastosowań nanometrologicznych i nanodiagnostycznych
Dr inż. Magdalena EKWIŃSKA
 8 T10C 024 17Mikrosonda do pomiaru temperatury aktywnych komórek roślinnych
Dr inż. Michał ZABOROWSKI
 PBZ 19-15Mikrosystemy do kompleksowej analizy mediów wieloskładnikowych
Mgr inż. Jan KOSZUR
 PBS1/B3/13/2012Mikroukładowa technologia pomiaru parametrów psychofizjologicznych w warunkach dynamicznych - BIOSIP
Mgr inż. Adam JAROSZ
 8 T11B 020 18Mikrownęki półprzewodnikowe: technologia, właściwości fizyczne i zastosowania w optoelektronice
Dr hab. Jan MUSZALSKI
 8 T11B 040 17Modele małosygnałowe tranzystorów MOS SOI
Dr inż. Daniel TOMASZEWSKI
 8 T11B 070 19Modelowanie numeryczne laserów półprzewodnikowych
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 T11B 011 13Modelowanie numeryczne niestacjonarnego transportu nośników ładunku w submikronowych strukturach półprzewodnikowych
Dr inż. Andrzej USZYŃSKI
 8 T11B 046 09Modelowanie szybkich procesów termicznych (RTP) wywołanych impulsami laserowymi w niejednorodnych nanostrukturach
Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA
 PBS2/A3/15/2013Modyfikacja właściwości kwantowych laserów kaskadowych za pomocą technologii trawienia zogniskowaną wiązką jonową FIB (PROFIT)
Prof. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI
 8 T11B 023 11Morfologia metalizacji na bazie Al. I próby jej modyfikacji
Prof. dr hab. Adam BARCZ
 NR02 0010 06/2009Nanoelektroniczne przyrządy do detekcji pojedynczych biologicznie aktywnych molekuł w roztworach wodnych.
Dr inż. Piotr DUMANIA
 UMO-2013/11/N/ST7/02801Nanostruktury GaN wytwarzane w procesie selektywnego trawienia ICP, których formowanie inicjowane jest obecnością nanopowłoki tytanowej.
Dr inż. Marek EKIELSKI
 Lider/019/317/L-5/13/NCBRNowatorskie konstrukcje wnęki rezonansowej kwantowego lasera kaskadowego
Dr Maciej SAKOWICZ
 8 T11B 019 18Opracowanie elektronomikroskopowych technik badania uszkodzeń w laserach półprzewodnikowych
Dr inż. Jacek RATAJCZAK
 N515 022 31/0908Opracowanie fotoelektrycznych, elektrycznych i optycznych metod badania nowych generacji struktur MOS
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 N515 06 47 33Opracowanie i charakterystyka tranzystorów w technologii opartej na nanodrutach krzemowych.
Dr inż. Michał ZABOROWSKI
 PBZ/28-208-4.3.2/2007/WATOpracowanie i optymalizacja demonstratora technologii wykrywania skażeń biologicznych wykorzystujących metodę cieczowej cytometrii przepływowej.
Dr inż. Piotr GRABIEC
 6 T112003C/06241Opracowanie i uruchomienie produkcji rodziny regulatorów ładowania dla potrzeb autonomicznych systemów fotowoltaicznych
Dr inż. Wojciech GRZESIAK
 0053/R/T00/2010/12Opracowanie laserów kaskadowych do zastosowań w układach wykrywania śladowych ilości substancji gazowych
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 9/ES/G007/T02/2007Opracowanie metod charakteryzacji parametrów podłoży SiC i ich powierzchni granicznych z innymi materiałami oraz ich wykorzystanie do badania struktur realizowanych w PBZ
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 3 T11B 052 27Opracowanie metody badania własności fizycznych krzemu o wysokiej rezystywności dla diagnostyki operacji technologicznych przyrządów półprzewodnikowych
Dr hab. inż. Wojciech JUNG
 8 8016 91 02Opracowanie metody oceny geometrii i doskonałości struktury krystalicznej heterostruktur stosowanych w optoelektronice na przykładzie heterostruktur (AlGa)As i (InGa)(AsP) metodami mikroskopii elektronowej
Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI
 4 T10C 012 25Opracowanie miniaturowej sondy do badań komórek roślinnych
Dr inż. Michał ZABOROWSKI
 N N515 525138Opracowanie nowych fotoelektrycznych metod pomiaru i zbadania rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni bramki
Dr inż. Krzysztof PISKORSKI
 PBS1/A9/8/2012Opracowanie nowych krzemowych detektorów cząstek alfa dla dozymetrii i badań trans aktynowców (SiDET)
Mgr inż. Maciej WĘGRZECKI
 N515 4423 33Opracowanie past do wytwarzania warstwowych struktur elektroluminescencyjnych.
Dr inż. Michał CIEŻ
 8 T11B 030 11Opracowanie podstaw nowej generacji fotoelektrycznych metod badania struktur MOS
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 N N515 244337Opracowanie procedury pomiaru i identyfikacji oraz zbadanie różnych mechanizmów wymiany ładunku elektrycznego przez defekty w obrębie przerwy energetycznej SiC na powierzchni granicznej SiC:SiO2 i w jej pobliżu
Dr inż. Tomasz GUTT
 8 T11B 017 13Opracowanie spektroskopowego systemu oświetlenia struktur MOS dla badań fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu
Dr inż. Andrzej KUDŁA
 8 T11B 001 12Opracowanie szybkiej metody projektowania układów ASIC klasy mikrokontrolerów
Dr inż. Krystyna SIEKIERSKA
 4 T11B 038 25Opracowanie techniki cyfrowej autokalibracji charakterystyk częstotliwościowych w zastosowaniu do układu scalonego transceivera do krótkozasięgowej komunikacji bezprzewodowej
Mgr inż. Ewa KURJATA-PFITZNER
 8 T11B 036 14Opracowanie techniki projektowania scalonych niskoszumnych, mikromocowych wzmacniaczy impulsów ładunkowych dla cyfrowo-analogowych systemów VLSI
Dr inż. Włodzimierz PODMIOTKO
 N515 025 32/1887Opracowanie technologii nanostruktur fotonicznych wraz z układami sprzęgającymi optyki zintegrowanej dla zastosowań w technice sensorowej.
Mgr Krystyna GOŁASZEWSKA-MALEC
 PBZ 05/T11/98Opracowanie technologii wysoko sprawnych monokrystalicznych krzemowych ogniw fotowoltaicznych w technologii mikroelektronicznej
Mgr inż. Maciej WĘGRZECKI
 N515 360636Opracowanie technologii wytwarzania heterostruktur dla laserów DW-VECSEL z AlGaAs/GaAs/InGaAs
Dr hab. inż. Agata JASIK
 0663/B/T02/2008/35Opracowanie technologii wytwarzania warstw z półprzewodnikowych tlenków metali dla dozymetrii promieniowania gamma i beta w medycynie
Dr inż. Marek GUZIEWICZ
 N515 079337Opracowanie układu elektronicznego do elektromodulacji nerwu błędnego ze sprężeniem zwrotnym i jego zastosowanie do badań nad otyłością i nadciśnieniem tętniczym u zwierząt doświadczalnych
Dr Krzysztof ZARASKA
 N515 44 22 33Opracowanie zintegrowanego systemu do analiz biochemicznych.
Mgr inż. Jan KOSZUR
 N N507 468038Opracowanie, wykonanie metodą odlewania i charakterystyka rodziny nowych folii ceramicznych przeznaczonych dla elektroniki
Dr Jan KULAWIK
 8 T11B 016 18Optymalizacja metod wprowadzania promieniowania ultrafioletowego do struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji
Dr inż. Andrzej KUDŁA
 N N507 347335Otrzymywanie i charakterystyka materiałów ceramicznych wykazujących właściwości multiferroiczne
Dr inż. Agata STOCH
 2182/B/T02/2011/40Otrzymywanie i charakterystyka nowych bezołowiowych nieferroelektrycznych materiałów ceramicznych na kondensatory z zaporową warstwą wewnętrzną
Dr hab. inż. Dorota SZWAGIERCZAK
 N507 037 31/0906Otrzymywanie, charakterystyka i zastosowanie bezołowiowych dielektryków ceramicznych do kondensatorów o wysokiej pojemności
Dr Jan KULAWIK
 3 T11B 007 26Piezoelektryczny napęd struktur MEMS
Mgr inż. Paweł KOWALSKI
 8 T11B 053 14Pojemnościowo - piezorezystywny, krzemowy czujnik przyspieszenia
Dr hab. inż. Jan ŁYSKO
 UMO-2013/09/D/ST7/03966Pomiar, analiza i kontrola zjawisk fizycznych w laserach kaskadowych o dwóch optycznie sprzężonych wnękach.
Dr inż. Kamil PIERŚCIŃSKI
 8 T10C 020 14Półprzewodnikowe detektory bliskiej podczerwieni ze związków na bazie GaSb do zastosowań w spektroskopii chemicznej i medycznej
Dr inż. Tadeusz Tomasz PIOTROWSKI
 3 T11B 009 26Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przypadkach termofotowoltaicznych
Dr inż. Tadeusz Tomasz PIOTROWSKI
 NR02 0023 06/2009Półprzewodnikowe lasery dyskowe dla zastosowań teleinformatycznych.
Dr hab. Jan MUSZALSKI
 3 T11B 016 26Półprzewodnikowy czujnik mikroprzepływów
Dr hab. inż. Jan ŁYSKO
 8 S501 043 06Procedura określenia koncentracji domieszek w przypowierzchniowych obszarach krzemu w strukturach MOS
Prof. dr hab. inż. Andrzej KOBUS
 4 T11B 039 22Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ich zastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (PROMOTORSKI)
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 8 T11B 037 14Procesy wzrostu w fazie stałej ultracienkich, silnie domieszkowanych warstw półprzewodnikowych a międzypowierzchniowych metal-półprzewodnik III-V i ich wykorzystanie w technologii kontaktów omowych
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 PBZ-MIN-012/T11/02Projekty badawcze przygotowane i realizowane przez osoby po doktoracie (POL-POSTDOC) Badanie procesów trawienia plazmowego krzemu dla potrzeb mikroinżynierii i nano-fotoniki krzemowej
Dr inż. Dariusz SZMIGIEL
 8 T11B 047 17Propagacja i tunelowanie fal termicznych w elektronicznych strukturach kwantowych
Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA
 PBS3/A3/18/2015Rozwój zintegrowanych bloków funkjonalnych dla aplikacji na fale milimetrowe realizowanych w technologii LTCC
Dr Jan KULAWIK
 N515 013 32/0847Spektroskopia optyczna struktur laserów kaskadowych.
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 8 S501 026 05Stabilizacja metalizacji Al Za pomocą implantacji jonów
Dr inż. Michał ZABOROWSKI
 Lider/030/615/L-5/13/NCBRSuperkondesatory dla przeźroczystej elektroniki oparte na nanokoralowym ZnO
Dr hab. Michał BORYSIEWICZ
 UMO-2012/07/D/ST7/02568Symulacja, pomiar i kontrola rozkładu promieniowania w polu dalekim ze źródła THz
Dr Maciej SAKOWICZ
 8 T11B 048 16Synteza behawiaralna w projektowaniu cyfrowych układów scalonych
Dr inż. Krystyna SIEKIERSKA
 0297/JP2/2013/72Synteza i charakteryzacja właściwości magnetoelektrycznych elastycznych kompozytów piezopolimer-ceramika-metal
Dr inż. Piotr GUZDEK
 UMO-2013/11/D/ST5/02990Synteza, właściwości elektryczne i magnetyczne objętościowych i warstwowych kompozytów magnetoelektrycznych typu ferryt-relaksor
Dr inż. Piotr GUZDEK
 0ROB 005303001System zarządzania profilami psychologicznymi żołnierzy z opancerzeniem i wykorzystaniem technologii HEALTH-CHIPS
Mgr inż. Adam JAROSZ
 N N507 468038Technologia otrzymywania, właściwości elektryczne i magnetyczne oraz zastosowania ceramiczno-metalicznych kompozytów magnetycznych
Dr inż. Piotr GUZDEK
 PW-004/08/2005/3/UW-2005Technologie i metody zmniejszania uciążliwości ekologicznej przemysłowych procesów wytwarzania oraz eksploatacji maszyn i urządzeń technicznych. Zaprojektowanie i realizacja automatycznej stacji do wykrywania i bezprzewodowej transmisjii danych o rozlanyc
Dr inż. Michał CIEŻ
 8 T11B 005 16Teoretyczne i doświadczalne określenie brzegowego prądu dyfuzyjnego współczesnych złącz p-n
Prof. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI
 7 T11B 024 21Termodynamiczne własności molekularnych nanostruktur elektronicznych
Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA
 N515 416034Termografia odbiciowa laserów półprzewodnikowych i linijek laserów dużej mocy.
Dr inż. Dorota PIERŚCIŃSKA
 8 T11B 040 10Termooptyczna metoda wizualizacji rozkładu koncentracji nośników swobodnych i koncentracji domieszki nieaktywnej elektrycznie
Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI
 PBS1/A3/9/2012Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN monokrystalicznych podłożach Gan (Pol-HEMT)
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 3 T11B 008 26Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości
Dr hab. inż. Eliana KAMIŃSKA
 7 T11B 009 20Tworzenie stabilnych termicznie kontaktów omowych do przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy/wysokiej temperatury
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 PBS1/A3/4/2012VESTIC: nowy sposób wytwarzania układów scalonych
Dr inż. Piotr GRABIEC
 PBS1/A9/11/2012Wieloprofilowy detektor promieniowania THz zrealizowany z wykorzystaniem selektywnych tranzystorów MOS i jego zastosowanie w biologii, medycynie i systemach bezpieczeństwa (ThzOnLine)
Dr hab. inż. Jacek MARCZEWSKI
 3 T11B 051 27Wpływ konstrukcji i częstotliwości taktowania cyfrowych układów scalonych na generację zaburzeń elektromagnetycznych
Dr Juliusz SZCZĘSNY
 8 T11B 027 16Wpływ zjawisk termoelektrycznych na transport nośników nadmiarowych w półprzewodnikach niejednorodnych
Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI
 7 T11B 016 21Wybrane właściwości materiałów i struktur półprzewodnikowych trawionych wiązką jonów argonu
Dr hab. Maria KANIEWSKA
 8 T11B 035 11Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie na podstawie charakterystyk elektrycznych diody z bramką
Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI
 4156/B/T02/2008/34Wyznaczenie rozkładu domieszek i swobodnych nośników w półprzewodnikowych strukturach niskowymiarowych oraz w materiałach i strukturach objętościowych.
Dr hab. inż. Wojciech JUNG
 4 T11B 051 22Wąskopasmowe lasery SCHSQW z InGaAs/GaAs na pasmo (lambda)=980nm
Mgr inż. Paweł SAJEWICZ
 NR02 0025 06/2009Zaawansowana fotodioda lawinowa InGaAs/InAlAs/InP monolitycznie zintegrowana z mikrooptyką refrakcyjna.
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 3 T11B 062 30Zaawansowana fotodioda lawinowa InGaAs/InAlAs/InP zintegrowana z monolityczną mikrosoczewką
Dr hab. Janusz KANIEWSKI
 PBZ-MNiSW-02/I/2007Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni.
Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI
 0155/R/T00/2009/09Zaprojektowanie i wykonanie detektora promieniowania sub_TH-z działającego w oparciu o krzemowy tranzystor MOS
Dr hab. inż. Jacek MARCZEWSKI
 8 T11B 052 11Zastosowanie cienkich warstw azotków i borków metali trudno topliwych w technologii kontaktów omowych na bazie złota do związków półprzewodnikowych III-V
Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA
 8 S501 049 04Zastosowanie iniekcji i ekskluzji dziurowo-elektronowej plazmy w półprzewodnikach dla określania jej, czasu życia i rekombinacji powierzchniowej z wykorzystaniem detekcji promieniowania termicznego
Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI
 UMO-2013/09/B/ST7/04203Zastosowanie metod fizyki komputerowej do badań wpływu defektów strukturalnych na własności struktur SiC przyrządów półprzewodnikowych z węglika krzemu
Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI
 N515 004 31/0303Zastosowanie metody spektroskopii impedancyjnej do pomiarów właściwości struktur półprzewodnikowych nowej generacji
Dr inż. Tomasz GUTT
 PBS3/A6/21/2015Zastosowanie nowej ultra-precyzyjnej metody pomiarowej do budowy kompaktowego czujnika mikroodchyleń kątowych oraz system stabilizacji kierunku wiązki światła emitowanej przez laser
Mgr inż. Maciej WĘGRZECKI
 3 T11B 045 27Zastosowanie technik spektroskopowych z wykorzystaniem analizy furierowskiej do badań rezonatorów krawędziowych laserów półprzewodnikowych
Dr hab. Jan MUSZALSKI
 4 T08A 034 23Zbadanie mikrostruktury krzemu implantowanego wodorem Si:H, oraz helem Si:H, po wygrzaniu w warunkach wysokiego ciśnienia hydrostatycznego
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 7 T08A 057 17Zbadanie mikrostruktury krzemu wygrzewanego pod wysokiego ciśnieniem.
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 8 T11B 072 19Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń (wygrzewania pod zwiększonym ciśnieniem argonu) na strukturę i inne właściwości krzemu implantowanego tlenem, Si:O
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 8 T11B 024 11Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń na generację aglomeratów tlenowych w Cz-Si wykazujących aktywność elektryczną (donory termiczne i nowe donory)
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 8 T11B 009 13Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń wprowadzanych przez ciśnienie hydrostatyczne atmosfery gazowej przy wygrzewaniu Cz-Si na jego fotoluminescencję oraz fotoluminescencję otrzymanego z Cz-Si porowatego krzemu
Dr hab. inż. Andrzej MISIUK
 UMO-2013/09/B/ST&/04218Zbadanie zjawiska wtórnej elektroluminescencji w półprzewodnikowych strukturach kwantowych pobudzanych wiązką cząstek.
Prof. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI
 3 T10C 026 27Zintegrowana mikrosystemowa Sonda krzemowa do badań własciwosci mechanicznych powierzchni w skali nanometrowej
Dr inż. Paweł JANUS
Czerwiec 2018
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930
Imieniny: Dorota, Łucja, Wilhelm

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO