W Zakładzie Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych Instytutu Technologii Elektronowej został uruchomiony reaktor do wytwarzania wieloskładnikowych struktur cienkowarstwowych techniką wysokopróżniowego nierównowagowego rozpylania katodowego GAMMA 1000C firmy Surrey NanoSystems przeznaczony do wytwarzania cienkich warstw i struktur wielowarstwowych metalicznych tlenków i azotków przewodzących. Urządzenie to należy do najnowszej klasy reaktorów.
Czystość procesu wytworzenia warstw, jaką zapewnia nowe urządzenie, pozwala na otrzymanie warstw tlenkowych o wysokiej transparencji oraz dobrych elektrycznych własnościach przewodzących (tlenki na bazie rutenu, cyny i cynku). Szczególnie z tym urządzeniem wiąże się postęp w technologii wzrostu warstw ZnO. Druga grupa materiałów to związki MAX (M - metal grupy przejściowej; A- Al, Si; X - N, C) o nowych właściwościach.
Reaktor GAMMA 1000C umożliwia wytwarzanie cienkich warstw:
przezroczystych półprzewodników tlenkowych, m. in. ZnO, ZnO:Ag, HfO;
azotków i węglików metali przejściowych, m. in. TiN, TiSiN, TiSiC, Ti2AlN;
azotków grupy III, m.in. AIN;
oraz struktur wielowarstwowych, m.in. NiSi/TaSiN/Au. |
