|
Pol-HEMT: Tranzystory mikrofalowe na GaN - szansa dla Polski |
2014-12-22 |
Dodatek Dziennika Gazeta Prawna - 'Liderzy Innowacyjności' z 19 grudnia 2014 jest całkowicie poświęcony istotnej roli, jaką mogą odegrać dla przyszłości polskiego przemysłu radiolokacyjnego, opracowywane przez konsorcjum Pol-HEMT tranzystory mikrofalowe na monokrystalicznym podłożu azotku ganu. Wśród interesujących wywiadów znajduje się wywiad z prof. dr hab. inż. Anną PIOTROWSKĄ z Naszego Instytutu, koordynatorem projektu Pol-HEMT.
Liderzy Innowacyjności Nr 33 Grudzień 2014 |
|
|
| Styczeń 2026 |
| Pon |
Wto |
Śro |
Czw |
Pią |
Sob |
Nie |
| | | 1 | 2 | 3 | 4 | | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
|
|
Imieniny: Marta, Henryk, Mariusz
|
|
|
ZAKŁADY NAUKOWE
|
|
|
|
