|
NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Przezroczyste tranzystory MESFET na podłożach elastycznych |
2015-02-12 |
|
W ramach projektu InTechFun opracowano technologię przezroczystych tranzystorów MESFET wytwarzanych na elastycznych podłożach. Przyrządy wykonano na podłożu politereftalanu etylenu (PET). Warstwę aktywną stanowi In-Ga-Zn-O (IGZO)- materiał z grupy przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych. Kontakty źródła i drenu wytworzono z tlenku indowo-cynowego. Elektrodę bramki tranzystora tworzącą złącze Schottky’ego do IGZO wykonano z amorficznego tlenku rutenowo-krzemowego. Twórcami osiągnięcia są pracownicy ITE: mgr inż. J. Kaczmarski, mgr inż.J. Grochowski, prof. E. Kamińska, mgr inż. A. Taube, prof. A. Piotrowska.
O innych osiągnięciach pracowników ITE można przeczytać na stronie Osiągnięcia. |
|
|
| Styczeń 2026 |
| Pon |
Wto |
Śro |
Czw |
Pią |
Sob |
Nie |
| | | 1 | 2 | 3 | 4 | | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
|
|
Imieniny: Piotr, Małgorzata
|
|
|
ZAKŁADY NAUKOWE
|
|
|
|
