STRONA ARCHIWALNA
Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
TREŚĆ WIADOMOŚCI
Zaproszenie na seminarium 2016-01-12
Zapraszamy na najbliższe seminarium z fizyki ciała stałego w piątek 15 stycznia 2016 r. o godz. 10:15 w nowej siedzibie Wydziału Fizyki UW przy ul. Pasteura 5 w sali 0.06 na parterze.

Referat na seminarium wygłosi:

Mgr inż. Andrzej Taube - Instytut Technologii Elektronowej
Zakład Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych

tytuł referatu:
"Konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT AlGaN/GaN dla radiolokacji i elektroniki wysokich napięć "

W ramach seminarium omówione zostaną podstawowe właściwości materiałów i heterostruktur III-N istotne z punktu widzenia zastosowań w przyrządach półprzewodnikowych przeznaczonych dla radiolokacji i elektroniki wysokich napięć. Przedstawiona zostanie konstrukcja i technologia tranzystorów polowych HEMT na bazie heterostruktur AlGaN/GaN dla tych obu aplikacji. Szczególny nacisk zostanie położony na powiązanie parametrów materiałowych i parametrów konstrukcyjnych przyrządu z parametrami użytkowymi tranzystorów HEMT. Zaprezentowane zostaną wyniki prac nad tranzystorami HEMT AlGaN/GaN prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej we współpracy z innymi ośrodkami zajmującymi się tematyką azotkową w ramach projektu PBS NCBiR Pol-HEMT i programu Ventures FNP PowerHEMT (Ammono S.A., IWC PAN, ToPGaN sp. z.o.o., Politechnika Warszawska).
Powrót | Archiwum wiadomości
Styczeń 2026
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031
Imieniny: Marta, Henryk, Mariusz

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO