W ramach projektu przeprowadzone zostaną kompleksowe badania krzemków metali zastosowanych jako kontakty Schottky'ego do struktur epitaksjalnych GaN. Motywacją jest dostosowanie technologii przyrządów GaN/Si do dobrze rozwiniętej technologii krzemowej poprzez zastąpienie złota w połączeniach elektrycznych - miedzią. Wynika stąd potrzeba opracowania kontaktu Schottky’ego, który oprócz zapewnienia zadowalających charakterystyk elektrycznych, będzie jednocześnie blokować dyfuzję atomów miedzi w kierunku podłoża i zachowywać swoje właściwości w podwyższonych temperaturach. Cienkie warstwy krzemków metali wydają się być szczególnie obiecujące dla takich zastosowań.