Kierownik projektu: mgr inż. Andrzej Taube
Opiekun naukowy: prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Projekt realizowany jest Zakładzie Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie we współpracy z Instytutem Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej.
Modelowanie i symulacje struktur tranzystorowych realizowane będą za pomocą dostępnych w Instytucie Technologii Elektronowej i Politechnice Warszawskiej komercyjnych pakietów oprogramowania do symulacji przyrządów półprzewodnikowych firmy Silvaco oraz Synopsys. Do dyspozycji w czasie realizacji projektu będzie znajdująca się w Zakładzie Mikro i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych InstytutuTechnologii Elektronowej pełna linia technologiczna pozwalająca na wytwarzanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN. Charakteryzacja elektryczna przeprowadzona zostanie na Politechnice Warszawskiej w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki dysponującym jednym z najnowocześniejszych w kraju systemów charakteryzacji struktur półprzewodnikowych.

Kierownik Projektu

mgr inż. Andrzej Taube

Doktorant na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej (promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt). Pracownik Instytutut Technologii Elektronowej w Warszawie.

Ukończył z wyróżnieniem ("Summa cum laude") studia na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych:

• 2011 - praca magisterska "Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu" - promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt
• 2010 - praca inżynierska "Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w węgliku krzemu ", promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt

oraz na Wydziale Fizyki Politechniki Warszawskiej:

• 2013 - praca magisterska "Wytwarzanie i charakteryzacja pojedynczych warstw siarczku molibdenu MoS₂ " - promotor dr inż. Mariusz Zdrojek
• 2012 - praca inżynierska "Charakteryzacja elektryczna tranzystorów nanorurkowych " - promotor dr inż. Mariusz Zdrojek

Jest współautorem 22 publikacji w czasopismach recenzowanych oraz ponad 20 wystąpień konferencyjnych. W roku 2012 otrzymał I nagrodę w XXXVI konkursie im. profesora Mieczysława Pożaryskiego na najlepsze prace opublikowane w czasopismach naukowo-technicznych Stowarzyszenia Elektryków Polskich w 2011 r. za artykuł "Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu", opublikowany w numerze 9 "Elektroniki" (autorzy: A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt). Recenzent czasopisma naukowego IEEE Electron Device Letters (Umieszczenie na liście "EDS Golden List of reviewers" - najbardziej wartościowych recenzentów czasopisma naukowego IEEE Electron Device Letters w 2012 roku). Otrzymał stypendium Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w roku 2010 i 2011. Brał udział w realizacji trzech projektów z Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka:

1. "Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i techniki sensorowych (InTechFun)" - POIG.01.03.01-00-159/08
2. "Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie - Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe (Nanobiom)" - POIG.01.01.02-00-008/08
3. "Nowoczesne Materiały i Innowacyjne Metody dla przetwarzania i Monitorowania Energii (MIME)" - POIG 01.01.02-00-108/09

oraz w relizacji projektu NCBiR w ramach Program Badań Stosowanych (PBS) "Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN na monokrystalicznych podłożach GaN (Pol-HEMT)" - PBS1/A3/9/2012.