Promocja projektu i wyników badań
Publikacje:
1. A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs", International Journal of Electronics and Telecommunications , Vol 60, No 3, pp. 253-258 (2014) 
2. A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów MOS-HEMT AlGaN/GaN", Materiały konferencyjne XIII Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 9-13.06.2014, 2014, str. 80-85
3. A. Taube, J. Kaczmarskia, R. Kruszkaa, J. Grochowski K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, Anna Piotrowska: "Temperature-dependent electrical characterization of high-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and ohmic drain contacts", Solid-State Electronics 111, pp. 12-17 (2015) 
4. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, A. Piotrowska: "Wpływ kontaktu drenu na parametry elektryczne wysokonapięciowych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym",Materiały konferencyjne XIV Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 8-12.06.2015, 2015, str. 532-537
5. A. Taube, E. Kamińska, M. Sochacki, A. Piotrowska: "Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy", Materiały konferencyjne XIV Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 8-12.06.2015, 2015, str. 507-513
Wystąpienia konferencyjne:
1. A.Taube, M.Sochacki, J.Grochowski, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Simulations of the effect of interface traps distribution on the electrical parameters of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs", The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), 24-29.08.2014r,Wrocław, Poland
2. A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów MOS-HEMT AlGaN/GaN", XIII Krajowa Konferencja Elektroniki, 9-13.06.2014r, Darłówko Wschodnie(5.9Mb)
3. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, A. Piotrowska: "Wpływ kontaktu drenu na parametry elektryczne wysokonapięciowych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym", XIV Krajowa Konferencja Elektroniki, 8-12.06.2015, Darłówko Wschodnie(9.9Mb)
4. A. Taube, E. Kamińska, M. Sochacki, A. Piotrowska: "Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy", XIV Krajowa Konferencja Elektroniki, 8-12.06.2015, Darłówko Wschodnie
5. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, E. Kamińska, A. Piotrowska: "High-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with ohmic and Schottky drain electrodes", Smart Engineering of New Materials, 21-25.06.2015r, Łódź
Materiały promocyjne:
plakat promocyjny projektu (format A3)
2. A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów MOS-HEMT AlGaN/GaN", Materiały konferencyjne XIII Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 9-13.06.2014, 2014, str. 80-85
3. A. Taube, J. Kaczmarskia, R. Kruszkaa, J. Grochowski K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, Anna Piotrowska: "Temperature-dependent electrical characterization of high-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and ohmic drain contacts", Solid-State Electronics 111, pp. 12-17 (2015)
4. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, A. Piotrowska: "Wpływ kontaktu drenu na parametry elektryczne wysokonapięciowych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym",Materiały konferencyjne XIV Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 8-12.06.2015, 2015, str. 532-537
5. A. Taube, E. Kamińska, M. Sochacki, A. Piotrowska: "Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy", Materiały konferencyjne XIV Krajowej Konferencji Elektroniki, Darłówko Wschodnie, 8-12.06.2015, 2015, str. 507-513
Wystąpienia konferencyjne:
1. A.Taube, M.Sochacki, J.Grochowski, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Simulations of the effect of interface traps distribution on the electrical parameters of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMTs", The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014), 24-29.08.2014r,Wrocław, Poland
2. A.Taube, M.Sochacki, J.Szmidt, E.Kamińska, A.Piotrowska: "Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów MOS-HEMT AlGaN/GaN", XIII Krajowa Konferencja Elektroniki, 9-13.06.2014r, Darłówko Wschodnie(5.9Mb)
3. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, A. Piotrowska: "Wpływ kontaktu drenu na parametry elektryczne wysokonapięciowych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym", XIV Krajowa Konferencja Elektroniki, 8-12.06.2015, Darłówko Wschodnie(9.9Mb)
4. A. Taube, E. Kamińska, M. Sochacki, A. Piotrowska: "Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy", XIV Krajowa Konferencja Elektroniki, 8-12.06.2015, Darłówko Wschodnie
5. A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, E. Kamińska, A. Piotrowska: "High-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with ohmic and Schottky drain electrodes", Smart Engineering of New Materials, 21-25.06.2015r, Łódź
Materiały promocyjne:
plakat promocyjny projektu (format A3)
przykładowe materiały promocyjne
