Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
Zakład Charakteryzacji i Diagnostyki Struktur Półprzewodnikowych











O NAS
SEM Celem prac badawczo-rozwojowych prowadzonych w Zakładzie jest strukturalna, optyczna i elektryczna charakteryzacja materiałów i przyrządów. Główne stosowane techniki badawcze to:

TEM - transmisyjna mikroskopia elektronowa (oraz HRTEM - wysokorozdzielcza TEM), SEM - skaningowa mikroskopia elektronowa oraz system do trawienia zogniskowaną wiązką jonów (Focused Ion Beam - FIB), który jest używany nie tylko do preparatyki próbek dla TEM, ale służy też do wielu rodzajów procesów nano-technologicznych: nakładania metali (Pt, W) i dielektryków, oraz trawienia materiałów, w tym przyśpieszonego trawienia dielektryków i polimerów. W szczególności możliwe jest tworzenie zaprojektowanych wzorów na różnych materiałach.

Kolejną grupę metod charakteryzacji stanowią pomiary rozkładu fotowoltaicznej czułości struktur złączowych, efektywnego czasu życia nośników ładunku metodą mikrofalowej detekcji zaniku fotoprzewodnictwa wywołanego impulsem laserowym, badania termowizyjne w podczerwieni przy użyciu kamery termowizyjnej oraz metoda prądu indukowanego wiązką optyczną (OBIC).

Inne używane techniki to pomiary bardzo małych prądów i pojemności dla przyrządów półprzewodnikowych (szczególnie metodą diody z bramką), mikroskopii sił atomowych (AFM) i mikroskopii tunelowej (STM).

Trzy projekty Unii Europejskiej (GSQ, SODAMOS, METAMOS) oraz inne projekty międzynarodowe (ELOGRAPH) i wiele projektów krajowych były i są realizowane w Zakładzie. Wyniki badań zostały opublikowane w setkach artykułów w zagranicznych pismach naukowych i materiałach renomowanych konferencji międzynarodowych.

Zakład Charakteryzacji i Diagnostyki Struktur Półprzewodnikowych mieści się w budynku V na głównym terenie ITE w Warszawie. Zakład jest także częścią Centrum Nanofotoniki w ITE.

Badania prowadzone przez Zakład Charakteryzacji i Diagnostyki Struktur Półprzewodnikowych dotyczą rozwoju nowych metod charakteryzacji nanostruktur półprzewodnikowych wykorzystujących układ typu MOS lub inne struktury. Wykonujemy zaawansowane pomiary struktur półprzewodnikowych wytworzonych przez zespoły badawcze w wiodących ośrodkach naukowych na świecie (m.in. w USA, Japonii, Niemczech, Francji, Wielkiej Brytanii i Szwecji). Dla stosowanych przez nas oryginalnych metod charakteryzacji nanostruktur opracowujemy podstawy teoretyczne (modele fizyczne).

W Zakładzie rozwijamy i stosujemy trzy grupy metod pomiarowych: elektryczne, fotoelektryczne i optyczne.

Metody elektryczne są przede wszystkim wykorzystywane do określania charakterystyk C(V), I(V) i G(V) z najwyższą czułością i rozdzielczością. Również wykonujemy pomiary wysokoczęstotliwościowe i stosujemy metodę spektroskopii admitancyjnej do określania parametrów schematów zastępczych nanostruktur.

Metody fotoelektryczne głównie stosujemy do określania parametrów energetycznego modelu pasmowego badanych struktur. W ten sposób wyznaczamy poziomy energetyczne pasm, kontaktową różnicę potencjałów, napięcie wyprostowanych pasm i parametry stanów pułapkowych, a także rozkłady lokalnych wartości parametrów elektrycznych w charakterystycznych obszarach nanostruktur.

Do badań optycznych w naszym Zakładzie wykorzystujemy metody elipsometrii spektroskopowej, interferometrii, reflektometrii i spektroskopii ramanowskiej. Metody te, między innymi, umożliwiają określenie grubości i spektralnych charakterystyk parametrów optycznych rozmaitych struktur warstwowych, rozkładu naprężeń mechanicznych i składu chemicznego różnych obiektów.

Nasz Zakład zatrudnia stale wysokokwalifikowanych pracowników badawczych, w tym jednego doktora habilitowanego, dwóch doktorów, dwóch doktorantów oraz grupę inżynierów i techników.