Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:
WIADOMOŚCI
X edycja Konkursu „Innowator Mazowsza” – laureaci z ITE 2018-10-10
26 września 2018 r. ogłoszono wyniki X Konkursu „Innowator Mazowsza”. W kategorii Innowacyjny Młody Naukowiec laureatami III miejsca zostali dr inż. Jakub Kaczmarski z Zakładu Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych ITE za pracę „Nanostruktura i właściwości transportowe cienkich amorficznych warstw In-Ga-Zn-O i ich zastosowanie w elektronice przezroczystej i elastycznej” oraz dr Marta Sobańska z Instytutu Fizyki PAN za pracę „Wzrost i właściwości nanodrutów azotku galu otrzymywanych metodą MBE z plazmowym źródłem azotu”.
Oboje laureaci byli uczestnikami Studium Doktoranckiego w ITE, gdzie po złożeniu wymaganych egzaminów uzyskali stopień naukowy doktora nauk ...
ITE poszukuje pracownika. 2018-09-18
ITE poszukuje pracownika na stanowisko fizyk, inżynier elektronik.

Treść ogłoszenia
Nagroda Prezesa Rady Ministrów 2018-07-13
Informujemy, że dr inż. Jakub Kaczmarski z Zakładu Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych ITE został laureatem Nagrody Prezesa Rady Ministrów w kategorii Wyróżniona Rozprawa Doktorska (tytuł rozprawy: Nanostructure and Transport Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films and Their Application in Transparent and Flexible Electronics).

Dr inż. Jakub Kaczmarski znalazł się w gronie 44 wybitnych uczonych i dwóch zespołów naukowych z całej Polski, którym w październiku w trakcie uroczystej gali organizowanej przez Kancelarię Prezesa Rady Ministrów zostaną wręczone nagrody.

Nagrody Prezesa Rady Ministrów wręczane są za:
- osiągnięcia naukowe lub artystyczne, w tym za wybitny dorobek naukowy lub a ...
Nagroda Lider Bezpieczeństwa Państwa – 2018 2018-06-25
lider bepieczenstwa panstwa W dniu 21 czerwca 2018 r. Instytut Technologii Elektronowej wspólnie z TELESYSTEM-MESKO Sp. z o.o. otrzymały diamentową nagrodę „Lider Bezpieczeństwa Państwa – 2018” za „KRZEMOWE FOTODIODY BLISKIEJ PODCZERWIENI DO ZASTOSOWAŃ SPECJALNYCH”. Gratulujemy konstruktorowi mgr. inż. Maciejowi Węgrzeckiemu i zespołom: Zakładu Technologii Mikrosystemów i Nanostruktur (Z02) oraz Zakładu Mikroelektroniki (Z06).
Projekt Opus 13 NCN 2018-06-22
W dniu 22.06.2018 r. rozstrzygnięty został konkurs na stanowisko stypendysty w projekcie OPUS pt. „Nowa konstrukcja półprzewodnikowego lasera dyskowego dla emisji w średniej podczerwieni”, przyznanego przez NCN w 13 konkursie.

Komisja konkursowa zarekomendowała Pana Bartosza Jeżewskiego na to stanowisko.

Publiczna Obrona Rozprawy Doktorskiej 2018-06-11
Dyrektor i Rada Naukowa Instytutu Technologii Elektronowej zawiadamiają, że dnia 25 czerwca 2018 roku o godzinie 12:00 w siedzibie Instytutu, Warszawa, Al. Lotników 32/46 bud. VI, pokój 120 (I piętro) odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej, której autorem jest:

mgr Maciej KOZUBAL

Tytuł rozprawy: „Badanie wpływu implantacji jonów na właściwości azotku galu i materiałów pochodnych”.

Promotor:
Prof. dr hab. Adam BARCZ - Instytut Technologii Elektronowej

Recenzenci:
Prof. dr hab. Adrian KOZANECKI - Instytut Fizyki PAN
Dr hab. Jerzy ŻUK - Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej

Z rozprawą można się zapoznać w Bibliotece ITE, a ze streszczeniem i recenzjami także na stronie:
www.rada-naukowa.ite.waw.pl/przewody-doktorskie.html
Program TECHMATSTRATEG 2018-05-08
Instytut Technologii Elektronowej poszukuje Pracownika/Doktoranta do realizacji zadań w projekcie finansowanym przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju w programie TECHMATSTRATEG pt. ,,Technologie materiałów półprzewodnikowych dla elektroniki dużych mocy i wysokich częstotliwości – WidePOWER. Zadanie 3 - Technologie i materiały do wytwarzania lateralnych tranzystorów wysokonapięciowych AlGaN/GaN/Si HEMT” (numer projektu: TECHMATSTRATEG1/346922/4/NCBR/2017).

Treść ogłoszenia
Archiwum wiadomości
Październik 2018
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031
Imieniny: Piotra, Michała, Ziemowita

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO