 |
| |
|
|
Charakteryzacja struktur niskowymiarowych spektroskopią warstwy ładunku przestrzennego | | Udostępniamy metody charakteryzacji struktur niskowymiarowych oparte na spektroskopii warstwy ładunku przestrzennego DLTS, pomiary C(I)-V, profilowanie C-V, spektroskopia admitancyjna. Metody te, rutynowo stosowane w celu charakteryzacji głębokich pułapek w materiałach półprzewodnikowych i strukturach przyrządów, ostatnio wdrożono w wersji wieloparametrycznej i wykorzystano do charakteryzacji energetycznych stanów skwantowanych i stanów defektów w strukturach nisko- wymiarowych I i II ego rodzaju.
Oferowana jest charakteryzacja obiektów niskowymiarowych i defektów w opartych na strukturach różnych układów półprzewodników, włączając te z szeroką przerwą. Wielkościami mierzonymi w eksperymentach są: sygnał DLTS (D), pojemność różniczkowa (C ) lub konduktancja (G ). Parametrami dostępnymi w tych badaniach są: amplituda napięcia wstecznej polaryzacji (VR), poziom napięcia, czas trwania i częstotliwość repetycji impulsów zapełniających stany energetyczne (odpowiednio V1, tc, f ) oraz temperatura (T ).
Funkcjonalność technik pokazano na przykładzie struktur z kropkami z InAs/GaAs. Dane na rys. 1 i 2 identyfikują odpowiednio stany różnego pochodzenia i różne mechanizmy emisji elektronów ze stanów skwantowanych. Na rys. 3 pokazano jak te stany w kropkach są monitorowane rezonansową spektroskopią pojemnościową. Wyniki są uzyskiwane z badań bezpośrednich przejść nośników. Nie można ich w łatwy sposób otrzymać innymi metodami.
WYNIK: Raport zawierający prezentację mierzonych danych w postaci trójwymiarowych lub konturowych wykresów we współrzędnych [T (f ), VR (V1, tc), D] lub [T, VR, G (dC/dVR, (dC/dT )]
WARUNKI TECHNICZNE (OGRANICZENIA): Badania są prowadzone w realnych strukturach przyrządów zawierających warstwę ładunku przestrzennego, tj. ze złączem Schottky’ego lub złączem p-n.
REFERENCJE: Chalmers University of Technology, Göteborg, Szwecja; Universität Stuttgart, Niemcy
KONTAKT: Maria Kaniewska e-mail: kaniew@ite.waw.pl
[1] M. Kaniewska, O. Engström, M. Kaczmarczyk, J. Electronic Mater. 39 (2010) 766.
[2] O. Engström, M. Kaniewska, W. Jung, M. Kaczmarczyk, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 33110.
[3] O. Engström, M. Kaniewska, M. Kaczmarczyk, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 13104.
[4] W. Jung, G. Zaremba, O. Engström, M. Kaniewska, J. Nanoscience and Nanotechnology, 2010.
Oferuje: Zakład Grafenu i Materiałów dla Elektroniki |
|
|
|
| Październik 2024 |
| Pon |
Wto |
Śro |
Czw |
Pią |
Sob |
Nie |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | | 28 | 29 | 30 | 31 |
|
|
Imieniny: Rozalia, Franciszek, Konrad
|
|
|
ZAKŁADY NAUKOWE
|
|
|
|
