STRONA ARCHIWALNA
Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Charakteryzacja struktur niskowymiarowych spektroskopią warstwy ładunku przestrzennego
Udostępniamy metody charakteryzacji struktur niskowymiarowych oparte na spektroskopii warstwy ładunku przestrzennego  DLTS, pomiary C(I)-V, profilowanie C-V, spektroskopia admitancyjna. Metody te, rutynowo stosowane w celu charakteryzacji głębokich pułapek w materiałach półprzewodnikowych i strukturach przyrządów, ostatnio wdrożono w wersji wieloparametrycznej i wykorzystano do charakteryzacji energetycznych stanów skwantowanych i stanów defektów w strukturach nisko- wymiarowych I i II ego rodzaju.

Oferowana jest charakteryzacja obiektów niskowymiarowych i defektów w opartych na strukturach różnych układów półprzewodników, włączając te z szeroką przerwą. Wielkościami mierzonymi w eksperymentach są: sygnał DLTS (D), pojemność różniczkowa (C ) lub konduktancja (G ). Parametrami dostępnymi w tych badaniach są: amplituda napięcia wstecznej polaryzacji (VR), poziom napięcia, czas trwania i częstotliwość repetycji impulsów zapełniających stany energetyczne (odpowiednio V1, tc, f ) oraz temperatura (T ).

Funkcjonalność technik pokazano na przykładzie struktur z kropkami z InAs/GaAs. Dane na rys. 1 i 2 identyfikują odpowiednio stany różnego pochodzenia i różne mechanizmy emisji elektronów ze stanów skwantowanych. Na rys. 3 pokazano jak te stany w kropkach są monitorowane rezonansową spektroskopią pojemnościową. Wyniki są uzyskiwane z badań bezpośrednich przejść nośników. Nie można ich w łatwy sposób otrzymać innymi metodami.

WYNIK: Raport zawierający prezentację mierzonych danych w postaci trójwymiarowych lub konturowych wykresów we współrzędnych [T (f ), VR (V1, tc), D] lub [T, VR, G (dC/dVR, (dC/dT )]

WARUNKI TECHNICZNE (OGRANICZENIA): Badania są prowadzone w realnych strukturach przyrządów zawierających warstwę ładunku przestrzennego, tj. ze złączem Schottky’ego lub złączem p-n.

REFERENCJE: Chalmers University of Technology, Göteborg, Szwecja; Universität Stuttgart, Niemcy

KONTAKT: Maria Kaniewska e-mail: kaniew@ite.waw.pl

[1] M. Kaniewska, O. Engström, M. Kaczmarczyk, J. Electronic Mater. 39 (2010) 766.
[2] O. Engström, M. Kaniewska, W. Jung, M. Kaczmarczyk, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 33110.
[3] O. Engström, M. Kaniewska, M. Kaczmarczyk, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 13104.
[4] W. Jung, G. Zaremba, O. Engström, M. Kaniewska, J. Nanoscience and Nanotechnology, 2010.

Oferuje: Zakład Analizy Nanostruktur Półprzewodnikowych
Grudzień 2020
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031
Imieniny: Franciszek, Hilary, Ksawery

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO