Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja
StrategiaHR




PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:

Pomiar właściwości materiałow i struktur półprzewodnikowych metodami optycznymi
Oferujemy wykorzystanie optycznych metod pomiarowych do kompleksowej charakteryzacji półprzewodników i ich powierzchni granicznych z izolatorami w przyrządach MIS. Pakiet stosowanych przez nas metod pozwala na ocenę jakości powierzchni, identyfikację naprężeń mechanicznych, określenie grubości i parametrów optycznych warstw oraz ich składu chemicznego.

Do charakteryzacji materiałów i struktur stosowane są cztery metody optyczne: elipsometria spektroskopowa, spektrofotometria, mikrospektroskopia Ramana oraz interferometria.

Przy pomocy elipsometrii spektroskopowej mierzone są charakterystyki spektralne kątów elipsometrycznych ψ(λ) i Δ(λ) w celu określenia m. in. grubości warstwy t (szczególnie dielektryka), charakterystyk spektralnych zespolonego współczynnika załamania N(λ) i zespolonej funkcji dielektrycznej ε(λ), gdzie N = n + ik aε = ε1 + i ε2.

Dodatkowo spektrofotometria pozwala na pomiary spektroskopowe transmisji i odbicia w nadfiolecie, świetle widzialnym i bliskiej podczerwieni (UV-VIS-NIR) zarówno w roztworze, jak i ciele stałym.

Spektroskopia Ramana polega na analizie rozkładu i przemieszczenia linii widma Ramana, skąd można wyznaczyć rozkłady naprężeń mechanicznych w badanych próbkach oraz zidentyfikować niektóre cząsteczki chemiczne występujące w poszczególnych warstwach struktury (np. wytrącenia węglowe na powierzchni granicznej SiC-SiO2).

Badania interferometryczne, polegające na analizie rozkładu prążków interferencyjnych na powierzchniach różnych próbek, pozwalają m. in. na pomiar wysokości „stopni” (grubości warstw), ocenę płaskości i ewentualnego odkształcenia powierzchni próbki.

Dysponujemy laboratorium pomiarowym znajdującym się w klimatyzowanych pomieszczeniach z antyelektronstatyczną podłogą i specjalnie doprowadzonym uziemieniem, wyposażonym w zautomatyzowane i wysoko precyzyjne systemy pomiarowe: elipsometry spektroskopowe, spektrometr Ramana MonoVista i spektrofotometr na zakres UV-VIS-NIR.

WYNIK: Raport zawierający zmierzone zależności oraz obliczone parametry wraz z krótką charakterystyką próbek opracowany przez specjalistę.

WARUNKI TECHNICZNE (OGRANICZENIA): Ograniczeniem są rozmiary badanych próbek i możliwość umieszczenia ich w przyrządzie oraz rozmiar plamki w elipsometrze i spektrofotometrze. Warstwy metaliczne dla po- miarów elipsometrycznych nie powinny przekraczać 25 - 30 nm. W badaniach ramanowskich wzbudzenia dokonuje się za pomocą wiązki laserowej światłem widzialnym o długości fali 488 nm oraz w nadfiolecie z pomocą linii wzbudzającej 266 nm.

Oferuje: Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych

Wrzesien 2019
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
30
Imieniny: Edyta, Kamil, Korneliusz

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO